Huawei continua ad avanzare nello sviluppo di semiconduttori, nonostante le restrizioni commerciali e l’isolamento tecnologico imposto dagli Stati Uniti. Negli ultimi anni l’azienda ha ripreso a progettare internamente i propri chip, riportando sul mercato la serie Kirin e smartphone con connettività 5G. Tuttavia, il nodo produttivo resta un punto critico: secondo vari report, le soluzioni attuali sarebbero basate su tecnologia a 7nm, distante dalle piattaforme a 3nm e 2nm sviluppate da Samsung e TSMC.
Ora però è apparso in rete un nuovo brevetto che ha riacceso l’interesse sul possibile salto tecnologico dell’azienda. La documentazione, registrata con il numero CN119301758A e intitolata “Metodo di integrazione dei metalli per la produzione di dispositivi integrati”, è stata depositata l’8 giugno 2022 e pubblicata ufficialmente il 10 gennaio 2025 dall’Ufficio brevetti cinese. Il brevetto introduce una metodologia che consente di ottenere strutture metalliche estremamente sottili, con passo inferiore a 21nm, compatibile con processi produttivi di classe 3nm e potenzialmente 2nm.
Il metodo di Huawei
Il metodo proposto da Huawei si basa su un sistema di patterning avanzato che renderebbe possibile la deposizione di metalli come il rame, il rutenio o il cobalto con minore margine di errore, riducendo le imperfezioni sotto i 5nm e aumentando la robustezza del processo. L’integrazione dei metalli è suddivisa in due fasi, con riempimento progressivo degli spazi e incisione controllata attraverso maschere dure, con l’obiettivo di abbattere difetti e allineamenti imprecisi.
Un altro elemento distintivo è l’utilizzo di tecniche selettive di deposizione e incisione che permettono di formare vie verticali auto-allineate per il collegamento dei livelli interni del chip. Questa soluzione migliora l’efficienza del layout e riduce la formazione di capacità parassite, un limite tecnologico comune nei nodi avanzati. Il processo risulta particolarmente interessante per le fasi MOL e BEOL, fondamentali per la realizzazione delle interconnessioni e delle reti di alimentazione dei chip moderni.
Un aspetto che rende il brevetto particolarmente rilevante è la compatibilità con la litografia DUV, senza ricorrere alle costose tecnologie EUV impiegate dai maggiori produttori mondiali. L’obiettivo dichiarato è la scalabilità industriale: realizzare strutture sub-21nm con soluzioni economicamente sostenibili, mitigando costi e criticità tecniche legate alle attrezzature più avanzate.
Prove o indizi
Il brevetto di Huawei quindi non è la prova diretta che l’azienda sia pronta a produrre un chip a 2nm, ma costituisce un tassello significativo in quella direzione. La tecnologia descritta permette, almeno in teoria, di ottenere interconnessioni compatibili con nodi molto avanzati senza l’infrastruttura tipica delle fonderie d’élite. Resta da capire se HiSilicon riuscirà a tradurre questa innovazione in una produzione su larga scala, superando le limitazioni imposte dall’accesso ai macchinari e alle materie prime più sofisticate.
Per ora, Huawei ha dimostrato di poter reinventare la propria filiera e tornare competitiva con soluzioni sviluppate internamente. Il nuovo brevetto suggerisce che l’azienda stia già lavorando a processi che potrebbero in futuro avvicinarla ai livelli tecnologici di Samsung e TSMC, puntando sul rapporto tra innovazione, efficienza e indipendenza industriale. Il passo da laboratorio a produzione commerciale, però, rimane incerto: solo nei prossimi anni scopriremo se questo metodo sarà realmente adottato per realizzare chip a 2nm.