Realme ha ufficializzato la data di lancio della nuova serie GT 8: l’evento cinese si terrà il 21 ottobre alle 15:00 ora locale. In attesa del debutto, l’azienda ha condiviso un primo teaser che svela alcune specifiche chiave del modello GT 8 Pro, mentre restano ignoti i dettagli della versione standard.
Il Realme GT 8 Pro rappresenterà un notevole passo avanti rispetto al GT 7 Pro, soprattutto in termini di autonomia e ricarica. La batteria passa da 6.500 mAh a 7.000 mAh, pur mantenendo la ricarica cablata super-rapida da 120W. Per la prima volta, il dispositivo introduce anche la ricarica wireless da 50W e la ricarica inversa da 10W, oltre alla funzione di bypass charging per evitare surriscaldamenti durante il gaming o l’uso intensivo.
Realme ha inoltre confermato che il telefono sarà compatibile con diversi standard di ricarica non proprietari, tra cui 50W PPS PD, 44W UFCS e 36W PD, offrendo quindi maggiore versatilità con caricabatterie di terze parti.
Nonostante l’aumento della capacità della batteria e l’aggiunta della bobina per la ricarica wireless, il GT 8 Pro sarà più sottile e leggero del suo predecessore, con uno spessore di 8,2 mm e un peso di 214 grammi.
Sul fronte delle prestazioni, lo smartphone sarà alimentato dal nuovo Qualcomm Snapdragon 8 Elite Gen 5, il processore top di gamma del momento, affiancato da un chip R1 dedicato al gaming display. Questo chip, potenziato rispetto alle generazioni precedenti, consente di gestire Super Resolution e aumento del frame rate simultaneamente, permettendo di giocare in risoluzione QHD a 144Hz.
Secondo Realme, il sistema è già ottimizzato per alcuni titoli competitivi come Valorant Mobile, Delta Action e Arena Breakout, garantendo prestazioni elevate e una resa visiva superiore.
Con una combinazione di autonomia record, potenza da flagship e funzioni gaming avanzate, il Realme GT 8 Pro si prepara a entrare nella fascia alta con l’obiettivo di competere direttamente contro i colossi come Xiaomi, OnePlus e Samsung nella nuova generazione di smartphone premium.